Ders Kodu Ders Adı Teorik Uygulama Laboratuvar Yerel Kredi AKTS
EEE305 ELEKTRONİK 2 4,00 0,00 0,00 4,00 6,00

Ders Detayı
Dersin Dili : İngilizce
Dersin Seviyesi : Lisans
Ön Koşullar : Yok
Dersin Amacı : Elektronik dünyasında kullanılan BJT, MOSFET, JFET vb. gibi yarı iletken elemanların devrelerde kullanılış biçimleri hakkında bilgi vermek, güç kuvvetlendiricileri, opamplar ilgili teorik çalışmalar yapmak.
Dersin İçeriği : Tipik tranzistör kutuplama devreleri, Çok katlı kuvvetlendiricilerin kutuplanışı, Ortak emiterli, ortak bazlı ve emiter çıkışlı kuvvetlendiriciler, Darlington çifti, Sürüklemeli kutuplama devresi, FET´li ve MOS´lu kuvvetlendiriciler, Çok katlı kuvvetlendiriciler, İşlemsel kuvvetlendiricilerin lineer ve lineer olmayan uygulamaları, Besleme devreleri, Güç kuvvetlendiricileri.
Dersin Kitabı / Malzemesi / Önerilen Kaynaklar : Electric Circuits (Boylestat) M. Sait TÜRKÖZ, ?Elektronik´, Birsen Yayınevi, 2009
Planlanan Öğrenme Etkinlikleri ve Öğretme Yöntemleri : 1: Anlatım, 2: Soru-Cevap, 3: Alıştırma ve Uygulama, 4: Gösteri, 5: Problem Çözme
Ders İçin Önerilen Diğer Hususlar : Her türlü Türkçe elektronik akademik kitapların da incelenmesi ders için faydalı olacaktır.
Dersi Veren Öğretim Elemanları : Dr. Öğr. Üyesi Mehmet Erdal Özbek
Dersi Veren Öğretim Elemanı Yardımcıları : -
Dersin Verilişi : Yüz yüze eğitim

  • 1 Çok katlı kuvvetlendirici devrelerin AC analizini yapar
  • 2 Opampın lineer uygulamalarını bilir
  • 3 Doğrultucu ve regülatör devrelerini istenen özelliklere göre tasarlar
  • 4 Güç yükselteç tiplerini anlar
  • 5 Değişik devre mimarilerde tasarlanan farklı dalga formlarındaki sinyal üreteç devrelerini bilir
  • 6 Farklı topolojik bağlantı şekillerine ait BJT ve MOSFET tabanlı AC yükselteç devrelerini anlar

Ders Kodu Ders Adı Teorik Uygulama Laboratuvar Yerel Kredi AKTS

Teorik Uygulama Laboratuvar Hazırlık Bilgileri Öğretim Metodları
1.Hafta *BJT transistörün küçük işaret düşük frekans eşdeğer devre modeli ve örnek yükselteç tasarımı
2.Hafta *BJT ortak emiter yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
3.Hafta *BJT ortak baz yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
*Laboratuar ve Uygulama
4.Hafta *BJT ortak kollektör yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
5.Hafta *MOSFET transistörün küçük işaret düşük frekans eşdeğer devre modeli ve örnek yükselteç tasarımı
6.Hafta *MOSFET ortak kaynak yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
7.Hafta *MOSFET ortak kapılı yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
8.Hafta *Ara sınav I
9.Hafta *MOSFET ortak akaçlı yükselteç tasarımı ve yükselteç devresi performans parametrelerinin incelenmesi
10.Hafta *BJT ve MOSFET transistörler için yüksek frekans küçük işaret eşdeğer devre modelleri ve örnek yükselteç tasarımı
11.Hafta *MOSFET ve BJT tabanlı fark yükselteç devreleri ve ilgili performans parameterleri
12.Hafta *Çok katlı MOSFET ve BJT yükselteç devreleri
13.Hafta *Kısa Sınav ve sorularının çözümü
14.Hafta *Sinuzoidal sinyal osilatörleri ve farklı dalgaşekilli sinyal kaynakları tasarımı

  • 1 Vize : 30,000
  • 2 Final : 40,000
  • 4 Kısa Sınav : 30,000

Aktiviteler Sayı Süresi(Saat) Toplam İş Yükü
Vize 1 2,00 2,00
Kısa Sınav 5 2,00 10,00
Final 1 2,00 2,00
Ara Sınav Hazırlık 1 30,00 30,00
Final Sınavı Hazırlık 1 60,00 60,00
Quiz Hazırlık 5 2,00 10,00
Teorik Ders Anlatım 14 4,00 56,00
Toplam : 170,00
Toplam İş Yükü / 30 ( Saat ) : 6
AKTS : 6,00